长江存储科技NAND份额首超10% 中国半导体技术直追三星

长江存储科技（YMTC）已设定一个雄心勃勃的战略目标：在2026年之前夺取全球15%的市场份额，其总部及主要生产基地坐落于中国湖北省武汉市。

“实在没料到他们的技术水平能提升到如此高度”，面对长江存储科技推出的新型存储半导体，竞争对手企业的技术人员不禁流露出惊讶之情。该产品的堆叠层数已达到约270层，几乎与韩国三星电子并驾齐驱。长江存储科技的NAND闪存销量在全球市场的份额首次突破10%大关。在中美科技竞争持续的背景下，中国半导体产业的技术实力正迅猛攀升……

中国在存储半导体领域的全球影响力与日俱增。在用于长期数据存储的NAND闪存领域，领军企业长江存储科技的销量份额首次跨越全球10%的门槛。得益于中国政府推动国产半导体替代的扶持政策，长江存储科技在技术研发上取得了快速突破。目前，该公司业务虽聚焦于国内市场，但其崛起不可避免地对铠侠控股（Kioxia Holdings）等日美韩存储巨头的市场地位构成挑战。

“技术水平提升之快远超预期”，对于长江存储在2025年初开始量产的新型存储芯片，同业技术专家感到难以置信。其关键原因在于，产品堆叠层数达到约270层，已逼近韩国三星电子的最先进水平，标志着其制程技术已跻身全球第一梯队。此外，长江存储还率先引入了其他厂商尚未广泛采用的创新生产工艺，有效降低了制造成本。

根据市场调研机构Counterpoint（香港）发布的数据，长江存储在全球NAND闪存出货量中的份额于2025年第一季度首次达到10%。在2025年第三季度，其份额同比跃升4个百分点至13%，直逼全球排名第四的美国美光科技。以中国品牌的笔记本电脑和智能手机为突破口，长江存储产品的采用率持续增加，预计其全年市场份额将稳定超过10%。

尽管按销售额计算，长江存储目前全球占比约为8%，但Counterpoint分析师MS Hwang预测，到2027年其销售额份额也有望攀升至10%。

长江存储的目标是在2026年底前将销量份额提升至15%。公司正持续在中国武汉市周边地区进行产能扩张投资。待当前规划的投资全部完成后，长江存储的产能预计将占据全球总供应量的约20%，这一规模将超越日本铠侠，并逼近韩国SK海力士。

在用于短期数据存储的DRAM领域，中国另一家巨头长鑫存储技术（CXMT）的市场份额也在稳步增长。2025年第三季度，其全球份额达到8%，位居世界第四，较2024年同期的6%有所提升。长鑫存储专注于增产用于个人电脑和智能手机的通用型DRAM产品，据信已占据中国国内市场约40%的份额。

然而，在用于生成式人工智能的高性能“高带宽存储器（HBM）”技术方面，中国企业与领先者仍存在差距。目前SK海力士等厂商已量产第6代HBM，而长鑫存储的技术尚处于第3代阶段，技术代差约5年。

长江存储和长鑫存储等中国企业凭借显著的价格优势压制海外竞争对手。TechInsights的数据显示，中国产NAND闪存的价格比其他地区生产的同类产品低10%至20%。

IDC数据显示，中国2024年智能手机出货量同比增长6%，达2.86亿部，占全球总量的23%。有分析指出，铠侠的总销售额中约两成来自中国市场。如果中国品牌设备中国产存储芯片的采用比例持续提高，日美韩厂商可能面临市场份额萎缩和利润空间受压的双重挑战。

中国企业能否在海外市场取得更大突破尚不确定。美国政府于2022年将长江存储列入实体清单，限制美国企业未经许可向其提供设计技术。此前，美国苹果公司曾考虑在iPhone中采用长江存储的芯片，但最终放弃了该计划。

日本企业也对采用中国存储芯片持谨慎态度。铠侠公司高管表示，这主要是出于对产品质量和供应链安全性的考量。然而，回顾中国在光伏面板、动力电池和电动汽车等领域凭借价格竞争力快速占领全球市场的先例，存储半导体领域的故事可能重演。

国际半导体产业协会（SEMI）的分析师青木慎一指出：“尽管因美国出口管制而无法充足获取尖端生产设备，但中国厂商的芯片良品率仍在持续改善。”另有存储器行业技术人士认为：“如果当前的价格优势得以维持，全球其他地区的厂商增加采购中国存储芯片仅仅是时间问题。”