台积电领跑先进制程：1.4nm与2nm双轨并进

据台媒报道，台积电在半导体领域再进一步，中科1.4纳米先进制程建厂工程已提前启动。中科管理局透露，二期园区扩建工程将于9月底前完工，而台积电新厂预计10月将正式动工，总投资额高达1.2兆至1.5兆元（约合2338亿至3508亿人民币）。

目前，包括营造、水泥、厂务工程等在内的多家公司已接到通知，台积电中科新厂的建厂工程即将招标并发包动工，相关作业正在如火如荼地展开。台积电先前已宣布，其位于台中F25厂的1.4纳米制程主要生产据点将设立四座厂房，首座厂预计于2027年底前完成试产，2028年下半年正式量产，新厂营业额有望突破5,000亿元（约合1169亿人民币）。

供应链进一步指出，台积电中科厂2028年量产的将是第一期二座1.4纳米制程厂房，后续第二期二座厂或将推进至A10（1纳米）制程。此外，台积电已规划在南沙仑园区投资兴建1纳米先进制程基地，预计可建10座晶圆厂。

除了中科项目，台积电在先进制程技术上也取得了重大突破。稍早前，公司已通知供应商准备1.4纳米所需设备，并计划于今年在新竹宝山第二厂装设试产线。据了解，原订采用2纳米制程的宝山晶圆20厂中，二厂将改为1.4纳米制程与研发线，三厂则为1纳米制程与研发线。

台积电业务发展与全球销售高级副总裁Kevin Zhang表示，A14工艺基于第二代纳米片环栅晶体管，与即将量产的N2工艺相比，A14将在功耗和速度上实现显著提升。NanoFlex Pro架构使芯片设计人员能微调晶体管配置，实现最佳的功耗、效能和面积（PPA）。

展望未来，台积电计划于2028年投产基于A14制程技术的芯片，并有望提前实现量产目标。与此同时，台积电在2纳米制程上表现卓越，已接受下一代技术订单，并计划于2025年底达到每月5万片晶圆的产量。

尽管面临来自三星电子和日本Rapidus的竞争压力，但台积电凭借其在良率、客户结构、量产规模和市占率等方面的优势，继续维持领先地位。未来，台积电将继续大力投资研发，探索A14之后的节点以及3D晶体管等领域的技术创新。

在先进封装和新型专业技术方面，台积电的3DFabric研发中心正致力于开发子系统集成创新，以进一步增强CMOS逻辑应用。公司还将与学术界和产业联盟合作，发现并采用未来经济高效的技术和制造解决方案。

凭借高素质的研发团队和坚定的创新承诺，台积电有信心在未来几年通过提供先进、有竞争力的半导体技术，推动业务增长和盈利能力。面对这样的实力展示，不禁让人思考：还有厂商能追上台积电吗？