磷化铟逆袭AI时代：从冷门到热门的关键材料

半导体的进步不仅在于工艺制程的提升，更在于半导体材料的革新。纵观新能源汽车与消费电子的发展，第三代半导体凭借其卓越的禁带宽度和高导热率，在推动产业升级中发挥着重要作用。

步入AI时代，第三代半导体并未止步。今年5月，英伟达宣布其下一代800V HVDC架构将采用纳微半导体的GaNFast氮化镓和GeneSiC碳化硅技术。然而，技术的演进并非简单的线性替代，一场“逆袭”正在上演。

曾经被视为“过渡技术”的第二代III-V族化合物半导体磷化铟(InP)，如今正重新成为焦点。光芯片龙头Lumentum在最新财报中显示，多项数据超出市场预期，这背后的强劲动力正是来自光学硬件的强劲需求。

2025年第二季度，公司创下EML出货收入新高，并开始向多家超大规模客户部署200G通道速率的EML激光器——这些EML产品正是基于Lumentum的磷化铟平台。

Lumentum表示，正大力投资磷化铟制造产能，以确保未来几年供应能满足“预期激增的需求”。

随着AI热潮的兴起，磷化铟凭借其高饱和电子漂移速度和低发光损耗，成为光芯片上游的关键原料。从曾经的冷门产品一跃成为AI产业链中的热门材料。

光芯片以光子为载体，通过光波导、调制器、探测器等组件实现超高速、低功耗及大带宽的信息处理。其核心材料体系以硅基（低成本、CMOS兼容）与磷化铟（高效光源）协同为主。

据Yole预测，2019年全球磷化铟衬底市场规模为0.89亿美元，而到2026年，这一数字将增长至2.02亿美元，2019-2026年的复合增长率达到12.42%。

数据显示，我国是全球最大的磷化铟供应国，占比约六成。磷化铟衬底前三大供应商分别是日本住友电工、美国AXT以及法国II-VI；其中，AXT市占率高达六至七成，主要生产基地位于中国。

值得一提的是，九峰山实验室在磷化铟材料领域取得重要技术突破，成功开发出6英寸磷化铟（InP）基PIN结构探测器和FP结构激光器的外延生长工艺。这一成果标志着国内在大尺寸磷化铟材料制备领域实现从核心装备到关键材料的国产化协同应用。