富士通携手软银进军AI内存，挑战全球半导体格局

本周，富士通正式加入由软银牵头的下一代AI内存开发项目，与软银、英特尔及东京大学共同组成联盟，打造“SAIMEMORY新型内存”。

《日经亚洲》报道，此次合作聚焦于大型语言模型等复杂AI计算需求，旨在突破现有存储技术瓶颈。该联盟将采用三维堆叠DRAM技术，研发高带宽内存（HBM）的直接替代品，提供兼具高性能与经济性的存储器解决方案，为AI基础设施建设提供全新选择。

作为项目核心参与者，富士通将自身在量子启发技术方面的深厚积累注入研发体系，包括张量网络模拟器等关键技术，有效优化深度电路分析效率，为新型内存的性能提升提供支撑。

该项目的技术路线涵盖多重创新方向，包括动态存储器硅梳化等压缩技术，以及与光子芯片的深度整合及后量子安全增强方案。其中，光子芯片在生成式AI任务中的效能已被证实远超英伟达传统硅芯片，成为差异化竞争的核心亮点。

在技术协作层面，项目将整合英特尔的垂直堆叠技术与东京大学在热管理、数据传输领域的学术成果。原型设计与制造环节则携手新光电气（富士通曾为其大股东）和力积电推进，形成“产学研用”一体化的研发闭环。

这不仅是富士通重返存储器领域的关键布局，也是日本近期发力半导体产业竞争力的重要项目之一。

在此之前，软银已投入大量精力。其新成立的Saimemory公司将承担总指挥职能，专注于芯片设计、知识产权管理等核心环节，生产制造则采用外包模式以控制成本。这种轻资产运营策略既避开了巨额制造投资，又能聚焦技术创新。

资金方面，项目计划到2027财年完成80亿日元（约合3.59亿元人民币）总投资。其中，软银出资30亿日元，富士通与日本理化学研究所（理研）合计出资10亿日元。后续还将申请日本政府资金支持，整体投资规模预计最终达100亿日元（约合5亿元人民币）。

按照时间表，该项目将在两年内完成原型样品开发。评估量产可行性后，力争在21世纪20年代实现商业化落地。软银也计划将该新型内存优先应用于自身AI训练数据中心，以更低成本构建高效能数据处理体系。

当前HBM作为AI设备的核心组件，虽具备高带宽、低延迟优势，但存在功耗高、成本高的短板。Saimemory项目瞄准这一痛点，目标以与HBM相当或更低的价格，实现2-3倍的容量提升和50%的功耗降低，凭借差异化优势打破现有市场格局。

尽管前景可期，该项目仍面临多重考验：三维堆叠DRAM技术的量产稳定性、成本控制能力、市场接受度等均需时间验证。而从产业格局来看，这场由软银牵头、跨越多机构的合作，不仅是对HBM技术的挑战，更是日本半导体产业试图借AI浪潮重返全球核心竞争圈的重要探索。