台积电独占鳌头下的晶圆代工变局：英特尔、三星、联电、格罗方德的差异化突围之道

根据最新发布的全球晶圆代工市场调研数据，台积电已从单纯的行业领先者蜕变为整个代工体系的核心枢纽。第三方机构统计显示，2025年第三季度，全球前十大晶圆代工企业合计实现营收450.86亿美元，环比增幅达8.1%。随着下游需求回暖、各大厂商营收普遍反弹，台积电依然攫取了其中最大份额：该季度营收330.63亿美元，环比增长9.3%，市占率进一步攀升至71%。

71%的市占率本身即是最好的注脚。超过七成的份额意味着台积电在产能规模、客户组合及技术节点深度上，已远超其余代工厂的总和。无论是先进制程迭代速率、顶级客户的锁定能力，还是资本支出的持续强度，台积电在代工市场的优势均表现出显著的“马太效应”。行业大盘在扩张，但增量几乎尽数落入台积电囊中。

与此形成鲜明反差的是，其余代工厂虽也录得营收增长，却难以在份额上收窄差距。三星电子继续排名第二，但当季营收仅31.84亿美元，市占率下滑至6.8%；中芯国际、联电、格罗方德等紧随其后，更多是在各自擅长的成熟工艺、特色制程及应用领域稳健发展。整体格局日渐清晰：台积电持续向上通吃，而其他厂商被迫在不同技术层次与细分赛道中寻觅生存空间。

正是在此背景下，一个核心问题逐渐浮出水面——当台积电加速先进制程量产步伐，并通过美国、日本等海外据点完善其全球制造版图时，那些在正面战场逐渐掉队的竞争对手，究竟在如何调整自身航向？是继续投身于高投入、高风险的前沿制程军备竞赛，还是另辟蹊径，在成熟工艺、特色技术、区域市场或垂直客户群中构筑差异化的护城河？

英特尔：先进制程与系统代工双轨突围

在台积电的诸多追赶者中，英特尔的战略转身无疑最为剧烈，也最具系统思维。作为昔日半导体霸主，英特尔曾因制程迭代延迟而使其代工业务饱受质疑。然而2024年底至2025年，该公司展现出清晰而果决的转向：并非放弃先进制程角力，而是依靠技术突破、客户攻坚与生态整合，力图在特定战场重新夺回主动权。

先进制程：14A节点与High-NA EUV的豪赌

英特尔晶圆代工的核心筹码在于其14A制程节点。该节点被定位为极具竞争力的对外选项，预期在功耗效率和晶体管密度上实现跨越式提升。更为关键的是，14A将成为全球首个在关键层导入高数值孔径（High-NA）极紫外光刻技术的量产节点。英特尔已率先安装ASML的Twinscan EXE:5200B——业界首款采用0.55数值孔径投影光学系统的High-NA设备，具备8nm分辨率打印能力，在50 mJ/cm²剂量下每小时可处理175片晶圆，套刻精度达0.7nm。相比之下，台积电与三星仍在研发阶段使用High-NA测试机台，尚未将其投入商业规模生产。英特尔凭借此役率先完成从实验室至生产线的跨越，并宣称High-NA工具将带来更灵活的设计规则、减少光刻步骤、降低掩模数量、缩短周期时间并提升良率。随着量产经验积累，未来在1nm以下世代英特尔还可根据需要插入High-NA EUV多重曝光，且不致对良率造成显著冲击。这一技术路线的超前布局，正是英特尔意图在下一轮制程竞赛中抢占身位的关键。

先进封装：EMIB技术的突围机会

除先进制程外，英特尔在先进封装领域同样找到了破局点。由于台积电CoWoS产能持续紧绷，英特尔的EMIB（嵌入式多芯片互连桥）技术正逐渐成为具有吸引力的替代方案。EMIB是业界首个采用嵌入式桥接方案的2.5D互连解决方案，自2017年起便已实现量产。与依赖硅中介层的CoWoS不同，EMIB采用局部嵌入式桥接，具备更高的成本效益与设计灵活性，尤其适用于定制ASIC、芯片组及AI推理处理器。业界动态显示，苹果与博通正积极招募具备EMIB技术专长的工程师，苹果甚至考虑采用英特尔的EMIB封装技术开发定制服务器加速器Baltra——该项目最初与台积电N3工艺绑定，后因CoWoS产能受限而转向英特尔。英特尔也在持续丰富EMIB产品矩阵：新型EMIB-M将金属-绝缘体-金属（MIM）电容器直接集成于硅桥，提升供电性能；EMIB-T方案引入硅通孔（TSV）技术，满足HBM对低噪声垂直供电的需求。此外，英特尔还将EMIB与Foveros 2.5D及Foveros Direct 3D融合，打造出EMIB 3.5D混合架构。英特尔晶圆代工封装与测试副总裁表示，公司正竭力缓解先进封装芯片短缺局面，且不受产能掣肘。据传AWS、联发科等芯片设计商已选择英特尔晶圆代工为供应商。英特尔在美国本土拥有成熟的封装能力，从新墨西哥州的Fab 9、Fab 11x到俄亥俄州未来的产线，这种本土制造布局赋予英特尔的战略价值远超单纯成本优势。

客户争取：从苹果到英伟达的多线进攻

英特尔晶圆代工最引人注目的进展，体现在头部客户争夺上取得实质性突破。知名分析师郭明錤的调查显示，苹果已与英特尔签署保密协议，采购英特尔的18A-P PDK 0.9.1GA芯片。苹果目前正等待英特尔交付PDK 1.0/1.1套件，预计2026年第一季度到货。若一切顺利，英特尔最早有望于2027年第二或第三季度开始交付基于18A-P先进工艺节点的苹果入门级M系列处理器。18A-P工艺是英特尔首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的节点，针对多种功率/电压范围进行了精细调校，优化阈值电压以平衡能效。据估计，到2027年，苹果用于MacBook和iPad的入门级M系列芯片产量可能达到1500万至2000万颗。这不仅将为英特尔带来可观的产能贡献，更象征着其在高端移动芯片市场重新赢得认可。与此同时，英伟达与AMD也在评估英特尔晶圆代工的14A制程节点。英特尔副总裁证实，部分先进封装客户已取得良好成果，客户主动接洽是溢出效应所致，公司目前正进行战略对话。18A-P工艺的PDK已相当成熟，英特尔将重新与外部客户接洽，评估其兴趣。

ASIC业务：从IDM到系统代工的转型

英特尔的另一关键战略调整是设立专用ASIC部门。该部门由Srini Iyengar领导，隶属于中央工程集团（CEG）。英特尔首席执行官陈立武在第三季度财报电话会议上表示：“CEG团队将牵头构建我们全新的ASIC和设计服务业务，为广泛的外部客户提供定制芯片。这不仅将扩展我们核心x86 IP的应用范围，还将利用我们的设计优势，提供从通用计算到固定功能计算的一系列解决方案。”这一战略背后的逻辑清晰：英特尔手握芯片技术专长、x86 IP以及内部代工厂制造能力，寻求定制AI芯片的客户可获得满足所有需求的“一站式”服务。这是博通、Marvell或Alchip等纯ASIC设计商无法复制的优势，英特尔的代工厂身份正是其差异化关键。借助CEG集团，英特尔实现了横向工程集中化，设计服务与制造、封装相结合的成本已大幅降低。英特尔副总裁透露，公司在定制网络ASIC芯片领域已拥有蓬勃发展的业务，斩获众多智能网卡ASIC客户，这些芯片专为网络数据包处理、遥测、流量管理等网络密集型工作负载设计。值得一提的是，陈立武在推动定制芯片商业模式方面拥有深厚经验，其在Cadence任职期间一直致力于知识产权业务、设计工具、设计生态系统合作及定制芯片垂直市场。他的经验与人脉将助力英特尔更好把握ASIC热潮。

并购整合：收购SambaNova补齐AI拼图

为进一步强化AI领域竞争力，英特尔正就收购人工智能芯片初创企业SambaNova Systems进行深入谈判，此次收购包含债务在内的总估值约为16亿美元。SambaNova于2017年由斯坦福大学教授团队创立，专注于定制化人工智能芯片设计研发，目标与英伟达同类产品展开竞争。值得关注的是，英特尔首席执行官陈立武同时担任SambaNova董事长，其旗下的华登国际是SambaNova的创始投资方之一，并曾在2018年牵头完成该公司规模达5600万美元的A轮融资。以16亿美元价格收购SambaNova，将为英特尔带来其长期寻求的技术平台，助力完善自身人工智能产品布局，且该收购价格相比该公司2021年50亿美元的估值存在明显折价。

三星：2nm制程的背水一战

如果说英特尔的策略是多点开花、寻求技术突破，那么三星电子则是把所有筹码压在了2nm制程的大规模量产上。作为全球第二大晶圆代工厂，三星在3nm制程竞赛中屡屡败于台积电，连续数年每季度亏损数万亿韩元。但从2024年底到2025年，三星的2nm业务开始显现转机，成为其晶圆代工部门扭亏为盈的关键变量。

良率提升：从50%到70%的关键跨越

三星2nm制程采用全环栅（GAA）晶体管架构，这是三星在3nm制程中率先引入的技术。与传统的鳍式场效应晶体管（FinFET）设计相比，GAA技术最大限度地减少了电流泄漏，并显著提高了性能和电源效率。关键的是，三星从3nm开始采用GAA，而台积电将从2nm才开始应用。这意味着三星在克服3nm工艺挑战的同时，积累了多样化的GAA经验，与刚刚开始采用这项新技术的台积电处于不同的位置。根据韩国媒体报道，三星2nm制程的良率已经从9月份的50%提升到11月的50%至60%，目标是在年底或2026年初将生产良率提高到70%左右，以吸引大客户。市场研究公司Counterpoint Research预测，三星的2nm产能将增加163%，从2024年的每月8000片晶圆增加到2026年底的21000片晶圆。三星DS部门首席技术官兼总裁宋在赫在与总统政策秘书室长金容范的会谈中强调，随着人工智能投资热潮推动半导体需求进入景气周期，2nm制程将成为一个关键的转折点。熟悉三星的消息人士表示：“距离2nm全面量产已不远，这番言论被解读为三星计划中的2nm工艺良率和芯片性能正在稳步达到目标。”

客户突破：从特斯拉到高通的订单斩获

随着良率的提升，三星已成功吸引到主要客户采用其先进工艺。2024年7月，三星获得了与特斯拉的合同，价值165亿美元，用于生产下一代AI6芯片。AI6是一款采用2nm工艺量产的高性能芯片，将用于特斯拉的全自动驾驶系统，预计将于2027年内上市。特斯拉首席执行官埃隆·马斯克也确认，三星将代工部分AI5芯片系列，该系列芯片最初计划由台积电代工。除了特斯拉，三星还接到了多个重要订单：三星系统LSI内部的智能手机应用处理器Exynos 2600、苹果的图像传感器，以及MicroBT和Canaan的挖矿专用芯片（ASICs）。高通的应用处理器也有望跟进，传闻高通的第六代骁龙8至尊版将会有基于三星2nm代工的版本。最近，由著名芯片架构师Jim Keller领导的AI半导体公司Tenstorrent也在考虑与三星和台积电合作生产下一代芯片。此外，三星还赢得了美国AI半导体初创公司Tsavorite Scalable Intelligence、Anaphae以及韩国初创公司DeepX的生产合同。据报道，Tsavorite已向三星预订了价值约1500亿韩元（约合1000亿美元）的AI芯片，采用三星4nm工艺。

汽车市场：从特斯拉到现代的全方位布局

三星晶圆代工的另一个重要突破口是汽车半导体市场。除了特斯拉的AI6芯片，三星正准备为现代汽车公司量产8nm MCU，该公司计划在2028年完成研发，并在2030年开始量产。三星晶圆代工极有可能赢得现代汽车高端车型5nm自动驾驶芯片的合同。更值得关注的是，三星晶圆代工将向现代汽车供应采用14nm FinFET工艺量产的eMRAM（嵌入式磁性随机存取存储器）。eMRAM是一种利用直接嵌入半导体内部的磁性来存储数据的存储半导体，速度大约是NAND的1000倍，但低功耗特性正在推动汽车行业对其需求的增长。三星计划在2026年将其eMRAM产品组合扩展到8nm，并在2027年扩展到5nm。通过这种方式，三星代工厂获得了大多数工艺的汽车芯片参考标准，包括超精细工艺（2nm）、精细工艺（5nm和8nm）以及成熟工艺（14nm）。这种全方位的布局，使三星在汽车半导体代工领域建立了显著的竞争优势。

硅光子技术：挑战台积电的新战场

三星的战略布局不仅限于传统晶圆代工，还包括对下一代技术的前瞻性投入。三星电子DS事业部已将硅光子学选为未来的核心技术，并开始为其位于新加坡的专属研发中心招募经验丰富的专家。该新加坡研发中心由副总裁兼前台积电员工崔景建领导，正与总部技术开发办公室紧密合作，共同推进这项技术的发展。硅光子技术以光传输数据，成为数据中心、高效能运算及网络基础设施在超高频宽、低延迟及高能源效率的解决方案。与将数据信息存储在铜线上的传统半导体不同，硅光子技术将信息封装在光中，然后通过光纤传输，几乎没有电阻，能够实现更快的传输速度，还能显著降低发热量和功耗。三星正调动其遍布韩国、新加坡、印度、美国和日本的全球研发网络，致力于硅光子技术的研发。三星近期将负责硅光子技术研发的高级主管李康浩晋升为副总裁，并聘请了英特尔前首席产品官研究员朴贤大。三星还与人工智能半导体设计公司博通合作，共同推进硅光子技术的商业化。三星宣布CPO（共封装光学器件）的商业化日期为2027年。业内人士预计，硅光子技术是赢得更多大型晶圆代工客户的关键，这可能是一张反击王牌，能够扭转三星目前在2.5D和3D等尖端封装市场落后于台积电的局面。市场研究公司Modo Intelligence预测，到2030年，硅光子市场规模将增长至103亿美元。

High-NA EUV：追赶台积电的设备竞赛

在先进光刻设备方面，三星也在积极追赶。三星电子计划在2026年上半年前投资约1.1万亿韩元，引进两台最新的极紫外曝光设备——荷兰阿斯麦公司的“高数值孔径EUV”。该设备能够绘制比现有产品精细1.7倍的电路，每套设备成本约为5500亿韩元。三星计划在其2nm晶圆生产线上部署新机器，该生产线已在生产Exynos 2600应用处理器。三星还计划使用最新的EUV设备在2nm晶圆生产线上生产和供应特斯拉的下一代人工智能芯片。该工具还将支持三星未来的垂直通道晶体管DRAM的生产，这是一种高性能、低功耗的内存芯片，计划于2027年左右量产。据悉，三星董事长李在镕对High-NA EUV的兴趣始于2023年12月，当时他访问了位于荷兰的ASML总部。李在镕对EUV实现2nm以下芯片生产的潜力印象深刻，因此指示工程师加快开发兼容的工艺技术。

盈利预期：2027年的转折点

行业预计，多年来一直录得季度数百亿韩元亏损的三星代工业务将从2027年开始扭亏为盈。这得益于其奥斯汀工厂的开工率预期提高，以及泰勒工厂从2027年开始大规模量产特斯拉的AI6芯片。三星在其第三季度财报简报中表示：“我们获得了以尖端工艺为中心的创纪录订单，包括2nm的大规模客户合同。随着采用2nm工艺的新产品全面量产，我们预计通过持续提高开工率和实施成本效率措施，业绩将进一步改善。”Counterpoint Research表示：“如果良率持续改善，并且泰勒工厂的量产顺利进行，三星可能在数代以来首次在尖端工艺上有意义地缩小与台积电的竞争差距。”目前，台积电面临着英伟达和苹果等主要客户的订单集中，据报道将其2nm晶圆价格比前几代提高了50%。这为三星创造了一个可以抢占的利基市场，后者正利用灵活的定价策略来吸引客户。

联电：成熟制程的差异化突围

与英特尔和三星不同，联华电子很早就明确了自己的战略定位：不参与高风险、高资本消耗的先进制程竞赛，而是在成熟制程的基础上，通过特殊工艺、先进封装和硅光子等高附加价值应用，开辟新的增长空间。面对中国大陆晶圆厂在成熟制程市场的激烈竞争，联电的策略是避开价格战，转向技术壁垒更高、毛利更丰厚的细分领域。

先进封装：高通订单的战略意义

目前，联电已经在先进封装领域取得了实质性突破。联电自行开发的高阶中介层已获得高通的电性验证，并已进入试产流程，预估最快2026年第一季度量产。供应链透露，联电首批中介层电容密度达1500nF/mm²，技术水准属于高阶封装主流，高通更直接采购炉管机台放入联电厂房，显示双方合作深度与信任度非比寻常。这一合作涵盖AI PC、智能汽车与AI服务器等三大市场，强化联电在高速运算领域的地位。联电同步扩大海外封装布局，新加坡厂已投入2.5D制程，并具备晶圆对晶圆键合技术，这是3D IC制造的关键能力。联电强调，未来将以完整方案为策略，不仅提供晶圆制程，也整合封装平台，打造属于联电的先进封装生态系，并结合智原、硅统、华邦等转投资伙伴，提高系统性竞争力。业界人士指出，联电布局先进封装，先前在制程端仅供应中介层，应用在RFSOI制程，对营收贡献有限。随着高通采用联电先进封装制程打造高速运算芯片，近期双方合作又进一步发展，对联电来说将能降低在成熟制程的低价竞争，闯出一条不同之路。

硅光子：与IMEC合作抢占新赛道

联电的另一个重要布局是硅光子领域。联电与比利时微电子研究中心签署技术授权协议，取得IMEC iSiPP300硅光子制程，该制程具备共封装光学相容性。藉由此次授权合作，联电将推出12英寸硅光子平台，瞄准下世代高速连接应用市场。随着AI数据负载日益增加，传统铜互连面临瓶颈，硅光子技术以光传输数据，成为数据中心、高效能运算及网络基础设施在超高频宽、低延迟及高能源效率的解决方案。联电将结合IMEC经验证的12英寸硅光子制程技术、加上联电绝缘层上覆硅晶圆制程，为客户提供高度可扩展的光子芯片平台。联电资深副总经理指出，取得IMEC最先进的硅光子制程技术授权，将加速联电12英寸硅光子平台的发展进程。联电正与多家新客户合作，预计在2026及2027年展开风险试产。此外，联电未来系统架构将朝CPO与光学I/O等更高整合度的方向迈进，提供数据中心内部及跨数据中心需要的高频宽、低能耗且高度可扩展的光互连应用解决方案。业界分析，IMEC是全球微电子与纳米技术研究重镇，长年与台积电、英特尔等科技巨头合作，其硅光子研究位居世界第一梯队。联电此次携手IMEC挥军硅光子，有三大优势：首先是联电不用从零开始摸索硅光子元件设计规则，能直接取得IMEC的光子PDK、联合开发验证；其次是大幅缩短商业化量产时间；最后则是与国际大客户的技术对接更顺畅。据了解，英伟达将在今年推出的新世代Rubin架构起，大量在AI服务器导入硅光子及CPO技术。法人认为，联电挥军硅光子，有助进一步打入AI服务器、数据中心等核心供应链，若2027年如期放量，联电将成为全球CPO供应链中不可或缺的晶圆制造要角。

美国本土制造：与Polar的战略合作

联电还在积极拓展美国本土制造能力。联电宣布，已与专攻高压、功率及传感器的美国晶圆代工厂Polar Semiconductor签署合作备忘录，双方将展开洽谈，共同探索在美国本土8英寸晶圆制造的合作机会，以应对汽车、数据中心、消费电子，以及航空与国防等关键产业持续成长的需求。根据该谅解备忘录，Polar与联电将评估可在Polar近期扩建的明尼苏达州8英寸晶圆厂所生产的产品，并选定具体的生产项目。结合Polar稳健的制造能力，与联电完整的8英寸晶圆制造技术组合及全球客户基础，这项合作可望推动双方业务成长，并协助客户实现多元制造布局。此外，此合作也将进一步强化美国本土的8英寸晶圆制造产能，确保汽车、电网、机器人制造、数据中心等产业所需的关键功率半导体能够在美国稳定供应。联电全球业务资深副总经理指出：“联电致力通过多元的制程技术及全球布局，为客户提供弹性的供应链选择，以协助客户在现今的地缘政治环境中提升竞争力。这次合作不仅直接回应客户对美国本土半导体制造方案的需求，也展现联电以创新解决方案和双赢的合作模式，延续我们为客户创造价值的一贯承诺。”

制程探索：与英特尔的潜在合作

尽管联电明确表示不会全面进军先进制程，但市场传出，联电正考虑扩大与英特尔之间的合作伙伴关系，可能选择在原有12nm制程合作基础上，将制程提升至6nm制程。对此，联电表示不评论市场消息，但强调双方在12nm鳍式场效电晶体合作将按规划，于2027年导入量产，具备AI、物联网与车用等高增长领域的应用优势。联电董事长指出，12nm FinFET制程技术平台相较于14nm技术，芯片尺寸更小、功耗更低，性能大幅提升，充分发挥FinFET的优势，可广泛应用于各种半导体产品。与14FFC相比，12nm技术在优化的FinFET设备下，可实现10%的性能提升，透过降低电压减少20%功耗，采用六走线轨道设计，使面积减少超过10%，并节省三层光罩，进一步增强联电成本竞争力。法人认为，即便联电不跨进先进制程，该公司在硅光子与先进封装等领域多元布局，有助在成熟制程红海中开创新蓝海。

格罗方德：区域化与特色工艺的守成者

格罗方德作为全球第五大晶圆代工厂，很早就放弃了先进制程的竞争，转而专注于成熟制程和特色工艺。但在2024年底到2025年，格罗方德的战略重心更加清晰：通过区域化布局、硅光子技术和IP整合，在特定市场和应用领域建立不可替代的地位。

硅光子布局：收购AMF扩大领先优势

2024年11月17日，格罗方德宣布收购位于新加坡的硅光子晶圆代工厂Advanced Micro Foundry。此举标志着格罗方德在推进创新和巩固其硅光子领域领先地位的战略中迈出了关键一步。此次收购将扩展格罗方德在新加坡的硅光子技术组合、产能和研发能力，与其在美国的现有技术形成互补。格罗方德收购AMF，将AMF的制造资产、丰富的知识产权和专业人才整合在一起，显著扩展格罗方德的硅光子技术，并使格罗方德成为全球营收最高的纯硅光子晶圆代工厂。凭借AMF超过15年的制造经验，格罗方德将利用AMF位于新加坡的200mm平台，满足长距离光通信、计算、激光雷达和传感等领域的需求，并计划随着市场需求的增长扩展至300mm平台。格罗方德首席执行官表示：“硅光子技术对人工智能基础设施至关重要。随着数据传输速度加快、工作负载日益复杂，以更高的速度、精度和能效传输信息的能力如今已成为人工智能数据中心和先进电信网络的基础。收购AMF使格罗方德能够提供更全面、更具差异化的十年可插拔收发器和共封装光器件发展路线图，同时加速光子技术向汽车和量子计算等相邻市场的发展。”为配合此次收购，格罗方德计划在新加坡建立一个硅光子学研发卓越中心。该中心将与新加坡科技研究局合作，专注于研发用于400Gbps超高速数据传输的下一代材料，从而推进格罗方德的创新路线图。

IP整合：收购MIPS强化计算能力

值得注意的是，格罗方德今年还正式宣布计划收购MIPS，这家公司提供基于开源RISC-V指令集架构的处理器IP。格罗方德重申其纯代工厂的定位，强调此次收购并不意味着将转向芯片设计或销售，其真正目的是通过提供现成可用的IP模块，帮助客户——尤其是初次涉足芯片开发或希望实现垂直整合的企业——简化系统设计流程。格罗方德企业传播总监表示：“收购MIPS将增强格罗方德为客户提供更完整、更具差异化解决方案的能力。通过整合MIPS成熟的RISC-V处理器IP及软件工具，格罗方德客户将受益于更广泛的计算IP访问、更短的上市周期、更大的灵活性与开放性，以及面向高增长市场的更优技术。这一举措将使格罗方德不仅是制造合作伙伴，更成为提供基础计算技术的战略伙伴。”公司计划持续支持MIPS基于开源RISC-V架构的处理器核心产品组合，以满足各类计算需求，从而拓展格罗方德在新市场和新应用领域的服务能力。这涵盖了用于自动化平台、嵌入式系统和智能边缘设备的计算子系统。除了边缘AI应用外，格罗方德与MIPS的协同能力也非常适合在车载、物联网和数据中心基础设施等高增长领域发挥作用。尽管MIPS将成为格罗方德的子公司并向其客户提供IP产品，但MIPS将继续独立运营，维持现有客户关系并继续推进当前项目与合作协议。此外，MIPS也将继续与其他晶圆厂合作。

欧洲扩产：德累斯顿工厂的战略升级

今年11月，格罗方德宣布，计划投资11亿欧元，扩大其位于德国德累斯顿工厂的产能。这项投资将使该工厂的产能到2028年底提升至每年超过100万片晶圆，使其成为欧洲同类工厂中规模最大的工厂。这项名为"SPRINT"的扩建计划预计将得到德国联邦政府和萨克森州在《欧洲芯片法案》框架下的支持。作为项目的一部分，该设施将进行升级，以提供端到端的欧洲流程和数据流，满足关键的半导体安全要求。新的产能将专注于格罗方德高度差异化的技术——其关键性能特性包括低功耗、嵌入式安全内存和无线连接——这些特性对于满足欧洲在汽车、物联网、国防和关键基础设施应用领域的芯片需求至关重要。格罗方德首席执行官表示：“近期汽车行业的动荡凸显了全球芯片供应链的脆弱性。我们计划在德累斯顿进行扩张，这是格罗方德积极应对这些挑战并履行承诺的又一举措，旨在支持欧洲对安全供应链和差异化技术的需求。通过扩大我们在欧洲、美国和全球的制造业务，格罗方德正在巩固其作为关键行业客户韧性十足且值得信赖的合作伙伴的地位。”

中国市场：技术授权的务实路线

在先进制程受限的大背景下，特色工艺的技术转移成为了格罗方德与中国厂商合作的新模式。2025年8月，格罗方德宣布与一家中国本土代工厂达成最终协议，为中国客户提供车规级工艺与制造专长，不过格罗方德并未公开合作方。这种合作模式的优势在于：相比先进逻辑制程，特色工艺更注重应用导向和工艺优化，技术壁垒相对较低，但应用门槛较高。通过技术授权，国内厂商可直接获得成熟的工艺平台，无需漫长的研发周期即可投入量产，从而缩短产品上市时间、降低开发成本，并增强本地供应链韧性。对于格罗方德而言，在先进制程竞争中处于劣势的情况下，通过技术授权可以实现技术价值的最大化。对于中国厂商而言，这种合作模式能够快速提升在射频、功率、车规芯片等特色工艺领域的技术能力。

结语：差异化生存的多重路径

从英特尔、三星、联电到格罗方德的战略调整来看，晶圆代工市场正在形成一种新的竞争格局：台积电继续在先进制程和头部客户中占据绝对优势，而其他厂商则在各自选择的细分赛道中寻找生存空间。英特尔押注先进制程与先进封装的双轮驱动，试图通过技术突破和生态整合重新建立竞争力；三星将大部分筹码压在2nm制程的大规模量产上，期待在下一轮技术周期中实现反超；联电专注于成熟制程的差异化升级，通过先进封装和硅光子等高附加价值应用避开价格战；格罗方德则坚守特色工艺和区域化布局，在特定市场和应用领域建立不可替代的地位。这些战略调整的共同特点是：不再试图在所有维度上与台积电正面竞争，而是根据自身的技术积累、客户基础和资源禀赋，选择最适合自己的发展路径。在先进封装、硅光子、ASIC设计服务、区域化制造等新兴领域，这些“手下败将”正在寻找新的增长机会。