富士通携手软银等成立联盟，开发SAIMEMORY新型内存挑战HBM霸主地位

近日，富士通宣布正式加入由软银主导的下一代AI内存研发项目，与软银、英特尔及东京大学共同组建技术联盟，致力于开发名为"SAIMEMORY新型内存"的产品。

据《日经亚洲》报道，此次合作主要针对大型语言模型等复杂AI计算场景，力求突破当前存储技术的局限。联盟计划采用三维堆叠DRAM技术，打造能够直接替代高带宽内存（HBM）的新方案，在确保高性能的同时兼顾经济性，为AI基础设施建设提供多样化选择。

作为项目关键成员，富士通将其多年积累的量子启发技术引入研发，例如张量网络模拟器等，这些技术能显著优化深度电路分析效率，为新型内存的性能提升奠定基础。

项目技术路线包含多个创新方向，不仅有动态存储器硅梳化等压缩技术，还包括与光子芯片的深度集成以及后量子安全增强措施。值得一提的是，光子芯片在生成式AI任务中的表现已被证实远超英伟达传统硅芯片，成为该项目的核心差异化优势。

在技术协作方面，项目将融合英特尔的垂直堆叠技术与东京大学在热管理和数据传输方面的研究成果。原型设计与制造环节则与新光电气（富士通曾是其大股东）、力积电合作，形成从研发到应用的完整闭环。

可以说，此举不仅是富士通重返存储领域的重要一步，也是日本近年来提升半导体产业竞争力的标志性项目之一。

此前，软银已为此投入大量资源。

根据项目规划，软银新设立的Saimemory公司将负责总体协调，专注于芯片设计和知识产权管理，生产制造则采用外包模式以降低成本。这种轻资产策略有助于规避巨额制造投资，同时集中精力进行技术创新。

资金方面，项目计划到2027财年总投资80亿日元（约合3.59亿元人民币），其中软银出资30亿日元，富士通与日本理化学研究所（理研）合计出资10亿日元，后续还将申请政府补贴，总投资额预计最终达到100亿日元（约合5亿元人民币）。

按照时间表，项目将在两年内完成原型样品开发，评估量产可行性后，力争在本世纪20年代实现商业化。软银计划优先将该新型内存用于自身AI训练数据中心，以低成本构建高效数据处理系统。

熟悉半导体行业的读者可能已经注意到近期内存市场的涨价趋势。目前，HBM作为AI设备的核心部件，尽管具备高带宽、低延迟的优点，但也存在功耗高、成本高的缺陷，且供应持续紧张。行业龙头SK海力士未来两年的HBM产能已全部售罄，美国咨询公司BCG预测，2023至2027年间AI服务器出货量将增长六倍，DRAM出货量年均增长21%，HBM用量的增加进一步加剧了市场缺口。

Saimemory项目正是瞄准这一市场痛点，目标是提供与HBM相当或更低的价格，同时实现2-3倍的容量提升和50%的功耗降低，凭借差异化优势打破现有市场格局。

相比之下，日本在存储业务领域与韩国两大存储巨头以及崛起的中国存储企业相比，竞争力明显不足。

早年富士通曾涉足DRAM业务，后为避免激烈竞争转向专用芯片领域。而尔必达等日本企业在三星等韩国公司的价格战冲击下逐渐衰落，2013年尔必达被美光收购。日本半导体产业从80年代占据全球半壁江山的巅峰，滑落至2023年无一家企业跻身全球前十的窘境。

不过，日本并未完全退出存储赛道，而是掌控了半导体设备、材料等供应链环节，从信越化学的硅晶圆到JSR的光刻胶，日本企业始终占据产业链核心位置。正因如此，Saimemory内存项目仍具备一定竞争力。

尽管前景看好，项目仍面临诸多挑战：三维堆叠DRAM技术的量产稳定性、成本控制能力、市场接受度等都需要时间验证，而韩国企业在HBM市场占据90%份额，颠覆性技术能否打破现有垄断仍是未知数。

从产业格局看，这场由软银牵头、多方参与的合作，不仅是对HBM技术的挑战，更是日本半导体产业试图借助AI浪潮重返全球核心竞争圈的重要尝试，其商业化进程将持续影响全球AI存储市场的格局演变。