AI驱动存储超级周期，三巨头产能博弈重塑行业格局

深圳华强北的存储商户们频繁用“一天一个价，甚至一天几个价”来描述近期市场行情，这生动体现了存储行业已步入超级周期的显著特征。

众所周知，在人工智能需求爆发的推动下，存储行业正面临前所未有的结构性变革。2025年下半年以来，存储行业全面进入加速上行阶段，原厂盈利能力持续改善，HBM供应紧张局势加剧。SK海力士2026年底前的产能基本被AI大客户锁定，三星留给中小厂商的份额已不足10%。

除了HBM，DRAM作为存储领域的另一关键环节，也重新成为各大厂商的战略焦点，备受市场追捧。

面对存储市场供不应求、价格一路攀升的局面，三星电子、SK海力士和美光三大存储芯片巨头采取了差异化策略，以适应市场变化，抢占未来发展先机。

AI热潮下，存储巨头转向与产能豪赌

三星：缩减HBM产能，扩建DRAM产线

近期，三星电子计划将用于HBM3E生产的第四代1a纳米制程产能削减30%-40%，转而投入第五代1b纳米制程的通用DRAM生产，每月可新增约8万片晶圆产能。

据了解，三星的HBM3和HBM3E内存均基于1a纳米制程DRAM，而HBM4则采用1c纳米制程，以形成对SK海力士的竞争优势。1b纳米制程产能主要由通用DRAM占据，包括DDR5、LPDDR5X等，部分也用于生产GDDR7。因此，对三星而言，1b制程DRAM的盈利能力反而超过了受HBM高价带动的1a制程，这促使产能从HBM向DRAM转移。

这次调整背后是明确的利润驱动。三星内部评估显示，尽管HBM产品单价高，但议价能力较弱。虽然三星HBM3E良率已显著提升，并在下半年加入英伟达供应链，但供应量仍有限，且供给大客户的HBM3E价格低于竞争对手，导致当前HBM3E产品的利润率仅约30%。

此外，英伟达、AMD等头部厂商计划从明年起将主要产品需求过渡到HBM4，这将减少HBM3E市场需求。预计明年12层HBM3E产品售价可能再降30%以上，三星HBM3E利润率或进一步压缩。

相比之下，在AI热潮下，HBM挤占标准DRAM产能，短期内DRAM扩产有限，导致基于1b纳米制程的通用DRAM产品供不应求、价格持续上涨。三星基于1b DRAM的DDR5等通用DRAM利润率将超过60%，远高于HBM3E。

因此，三星降低HBM3E产能、扩大标准DRAM产出更为有利可图。

同时，三星还将平泽和华城园区的部分NAND闪存产线改造为DRAM产线，聚焦数据中心所需的大容量DDR5及LPDDR5X产品，以快速响应AI服务器旺盛需求。

另一方面，三星为抢占HBM4先机，正加紧提升1c纳米DRAM产能，计划到2026年第二季度将产能提至每月14万片晶圆，第四季度进一步提高到每月20万片晶圆。据TrendForce报道，三星将通过现有DRAM生产线过渡和平泽P4工厂新投资实现这一目标。

不过，近期有传闻称三星对HBM4投资偏谨慎，可能考虑进一步削减投资。

整体来看，三星在这场产能调整中展现了果断决策力，旨在优化配置、提高效率，以在激烈竞争中占据更有利地位。

正如业内知情人士透露：“三星致力于明年取得优异市场业绩，核心目标是实现比SK海力士更高的利润，并在盈利能力上实现赶超。因此，三星计划保持DRAM产量高速增长，并将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM。”

SK海力士：通用DRAM需求激增，产能暴涨8倍

与三星相呼应，SK海力士也在调整产能布局。

据报道，为应对旺盛的DRAM需求，SK海力士计划将DRAM产能投资目标翻番。但不同的是，其大部分DRAM产能扩张仍集中于HBM等数据中心产品。

SK海力士在第三季度财报会上强化了这一预期：“尽管通用DRAM利润率可能与HBM相近，但我们不会仅因盈利能力暂时变化就立即调整产能结构。”

可见，SK海力士扩产规划与三星通过扩大通用DRAM供给提升获利的策略存在差异，其更倾向于提高面向数据中心的DRAM产品需求来提升获利。SK海力士在HBM领域市场份额领先，且2026年HBM产能已售罄。

为此，SK海力士M15X晶圆厂预计2025年底量产1b DRAM，初期月产能3.5万片，主要用于HBM3E核心芯片生产，以巩固其HBM市场50%以上份额优势，未来可扩至5.5万-6万片。

业界估算SK海力士HBM4利润率约60%，明年HBM销售额约为40万亿至42万亿韩元。若维持与今年相同利润率，仅HBM业务就将产生约25万亿韩元营业利润，较今年17万亿韩元增长近50%。

值得注意的是，在加码HBM产能的同时，SK海力士并未放缓通用DRAM布局。其产能提升计划重心集中在最先进的1c DRAM技术节点。

据韩国媒体报道，SK海力士计划明年将第六代10纳米DRAM（1c DRAM）月产能从目前约2万片300mm晶圆提升至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能三分之一以上。

业内人士透露，SK海力士已将1c DRAM良率提升至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM产品。扩产后的1c DRAM将聚焦生产GDDR7和SOCAMM2等产品，以满足英伟达等大型科技公司订单需求。

此前，SK海力士将产能重点放在HBM上，判断HBM需求增长将超过通用DRAM。但随着AI模型从学习扩展到推理领域，通用DRAM需求增速预计将与HBM相当。在AI推理应用中，比HBM更节能、更经济的先进通用DRAM成为主流选择。

英伟达近期发布的AI加速器Rubin CPX采用GDDR显存而非HBM显存，直接部署在处理器旁边。其使用的SOCAMM2内存模块同样采用1c DRAM，与HBM相比带宽较低但能效更高。谷歌、OpenAI和亚马逊网络服务等大型科技公司也在开发集成大量通用DRAM的定制AI加速器。

在此趋势下，业内人士预测SK海力士将获得大量供应订单。

这一战略调整反映出AI推理应用对成本效益更高的通用DRAM需求激增，SK海力士正将重心从HBM扩展至更广泛的AI内存市场。相比需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM生产效率更高，能快速响应市场需求爆发。

综合来看，在HBM和通用DRAM双轮驱动下，业内人士预计SK海力士明年设施投资额将轻松突破30万亿韩元，较今年预计的25万亿韩元大幅增长。市场预测该公司明年营业利润有望超过70万亿韩元，创历史新高。

美光：多业务终止，聚焦高价值DRAM

相较于韩国存储双雄，美光的战略转向更为决绝。

美光不仅终止移动NAND产品开发，甚至砍掉消费类业务品牌Crucial，计划将这部分产能重新分配到毛利润率更高的HBM/企业级DRAM和SSD产品上，将所有产能和研发资源全力投向数据中心市场，以满足AI领域日益增长的需求。

这一品牌“停摆”决策背后是利润表的激烈博弈。据美光内部未公开财务数据显示，2025年上半年，数据中心存储芯片毛利率高达42%，而消费级存储产品毛利率仅为14%，前者利润是后者的3倍。

对此，Crucial品牌运营负责人在内部会议上无奈表示：“我们不是放弃消费者，而是在资本的选择里，没有太多余地。”

TrendForce集邦咨询报告指出，美光正在新建多个工厂产能。例如，在中国台湾的A5工厂主要扩大HBM堆叠能力，目前正计划破土动工；美光在美国的ID1晶圆厂位于爱达荷州博伊西市研发中心附近，奠基仪式于2024年举行，预计新晶圆厂将于2027年上半年开始生产；ID2晶圆厂第二阶段将在第一阶段完工后开始建设，并比N.Y.Fab更早进入大规模生产；N.Y.Fab目前仍处于准备阶段，计划于2025年底破土动工，预计2030年前量产；日本广岛工厂预计将于2026年开始建设，主要用于HBM相关生产。

值得注意的是，在爱达荷州的博伊西晶圆厂，美光把原本生产消费级存储芯片的3条生产线全部改为生产HBM和数据中心用DRAM芯片的生产线。美光首席执行官Sanjay Mehrotra在财报电话会议上表示：“我们跟英伟达签了一份为期3年的供货协议，每年要供应至少120万颗HBM芯片，为了完成订单，不得不调整产能。”

据路透社消息，经过大规模市场调查发现，今年10月，谷歌、亚马逊、微软和Meta纷纷向美光提出“无限期订单”，他们告诉美光，无论价格如何，只要能交付多少，就会接收多少。这或许解释了美光为何不惜砍掉消费类品牌来增加数据中心/企业级供给。

美光科技首席商务官Sumit Sadana指出，2026年DRAM内存供应形势将比当前更为严峻。HBM产品对晶圆的消耗约为传统DRAM的三倍，而主要厂商正将大量产能转向HBM，叠加新建DRAM晶圆厂成本上升与周期延长，短期内难以实现大规模扩产。美光计划于2026年小批量交付HBM4，有望提升其在该领域的市场份额，逐步接近整体DRAM市场占有率水平。

今年6月，美光宣布开始逐步停产DDR4，预计在未来6到9个月内出货量逐步下滑，直至彻底停产。这一动作清晰展现其对高端产品的倾斜与对未来趋势的前瞻判断。美光通过聚焦高价值存储战略，强化了在高端存储市场的优势，为未来发展积蓄新动能。

不过，随着智能手机、汽车等领域DRAM搭载量持续提升，美光正与客户协商调整车用内存定价策略，并将适当延长DDR4内存生产以满足市场需求。

产能转向背后，深层逻辑与三重驱动

分析来看，存储巨头的产能转向并非偶然，而是由利润、需求和技术三重因素共同驱动的战略调整，但其路径选择因各自市场地位与技术储备不同而呈现显著差异。

利润是最直接的驱动力：三星的HBM3E因定价较竞争对手低约三成，且市场份额有限，营业利润率仅为30%左右。相比之下，AI热潮导致的供应紧张，使得基于1b纳米制程的通用DRAM（如DDR5）的预期利润率超过60%。这一巨大利润差直接驱动三星计划将30%-40%的1a纳米HBM3E产能转向通用DRAM；而SK海力士因其在HBM市场占据绝对主导地位，HBM业务利润率高达约70%，因此重心仍优先保障HBM，但也同时加速扩产1c DRAM，应对通用DRAM利润率即将追平HBM的市场变化；美光则最为决绝，通过砍掉消费级品牌Crucial，将全部产能和资源重新分配给利润率数倍于消费级产品的数据中心/HBM市场，规避低利润陷阱。

市场需求的变化同样关键：在需求层面，AI应用从训练向推理及边缘侧延伸，引发了对大容量、高性价比存储的结构性变化。这不仅持续推高HBM需求，更催生了对GDDR7、大容量DDR5/LPDDR5X等通用DRAM的爆发性需求。例如，英伟达新发布的AI加速器也采用了基于通用DRAM的解决方案。面对谷歌、微软等云巨头“无限期订单”的强劲需求，巨头们不得不重新评估产能分配。面对AI浪潮下的市场结构变革，三星聚焦AI服务器亟需的大容量DDR5/LPDDR5X，抢抓通用DRAM短缺红利；SK海力士兼顾AI训练对HBM的刚需与AI推理对GDDR7等高效通用DRAM的新增需求，平衡短期订单与长期趋势；美光则响应英伟达、谷歌等巨头的“无限期订单”，加码数据中心存储供给。

技术与产能的适配性是战略落地的基础：HBM生产复杂、良率爬升慢，挤压了通用DRAM的晶圆产能。因此，三巨头的制程策略出现分化：三星以1b制程提升通用DRAM产能效率，同步押注更先进的1c纳米制程用于未来HBM4，以寻求技术超车；SK海力士则基于其领先优势，选择将更成熟、可快速扩产的1b纳米制程作为HBM3E/HBM4的产能基石，实现通用产品快速扩产，规避HBM复杂工艺的产能限制；美光通过产线改造与DDR4停产，集中资源攻克HBM4技术与高端DRAM领域，适配高端市场需求，三者均以制程升级实现产能优化与利润最大化的双重目标。同时，为快速响应市场，三星和SK海力士都在大幅扩建1c纳米通用DRAM产能，而新建工厂周期较长，普遍到2027年及以后才能达产，也迫使它们必须优化现有产能。

存储三巨头，博弈与分野

在这场存储盛宴中，三星、SK海力士、美光三巨头凭借技术优势、市场份额与产能规模，成为最大受益者，各自谋划未来蓝图。

三星电子、SK海力士和美光科技在DRAM领域的竞争呈现差异化特征。三星正以规模优势重塑其市场地位，计划将每月1b纳米制程产能增加约8万片晶圆。该公司计划通过平泽Fab 4工厂的1c制程专用产线，在2026年将DRAM产能提升至每月15万片。从市场份额来看，2025年Q1三星在全球DRAM市场的份额为34%，落后于SK海力士的36%。但三星凭借其强大的技术实力和产能优势，采用“通用DRAM保量、HBM4抢高端”的双线策略，目标是在2026年实现DRAM营业利润超越SK海力士，重新夺回全球DRAM市场份额第一的宝座。

SK海力士则采取了不同策略，作为HBM市场的绝对龙头，选择聚焦高壁垒的HBM3E/HBM4产能扩张，短期以HBM3E保障英伟达、谷歌等核心客户的确定性需求，规避HBM4量产过早带来的技术验证风险；长期通过HBM4、HBM4E的技术迭代与产能扩张，维持市场龙头地位并锁定高端溢价。同时增加数据中心级DRAM供应，以1c制程扩产为核心抓手，既通过数据中心专用产品承接AI算力爆发需求，又灵活调整通用DRAM产出，把握价格上涨周期的盈利机遇，同时保障客户供应链稳定。SK海力士在DRAM与HBM两大赛道的布局始终紧跟市场需求变化，形成核心业务稳固扩张、高端产品精准卡位的双轨战略。据报道，SK海力士2026年全系列存储订单基本已经售罄。

在面对市场变化和竞争压力时，美光的策略更加聚焦。在退出中国数据中心市场后，美光将资源集中于HBM4技术研发与DDR5产能建设，计划在2026年将HBM产能增加四倍，并加速1α纳米制程的量产。同时主动缩减消费级DRAM品牌业务，将产能优先分配给苹果、谷歌等高价客户，这一举措虽然在短期内可能会影响美光在消费市场的份额，但从长期来看，有助于美光提升整体利润率。在技术研发上美光也不遗余力，不断提升HBM和DDR5的性能指标，以满足高端市场对存储性能的严格要求。

存储涨价潮持续，重塑产业链

存储巨头的产能转向正在对整个行业产生深远影响。

对消费电子市场的影响首当其冲。有业内人士表示，内存价格已经飙升到“几乎负担不起”的程度。这种局面大概率会贯穿整个2026年，可能要到2027年下半年才有所缓解。在供应链层面，存储模组厂成为受影响最直接的一环，产品随行就市，上游涨价，下游传导。许多头部模组厂已经决定暂停出货并重新评估报价。能够感受到，产业链重塑正在悄然发生。尤其是在AI浪潮带来的超级周期下，存储市场正从消费驱动向技术驱动转型。随着大模型训练和推理对内存容量需求的激增，HBM和DDR5内存的紧缺可能进一步传导至整个存储产业链。市场预计这一供需失衡局面将持续到2027年，当新的产线陆续投入运营，存储行业的格局也将随之改变。不过，随着英伟达将AI芯片更新周期缩短至一年，存储行业的这场技术军备竞赛，远未到停歇之时。