步入2026年,A股半导体龙头企业兆易创新股价持续攀升,短短三个交易日涨幅超20%,截至1月7日收盘,总市值已高达1753亿元。这一强劲表现的背后,与一则重磅消息密切相关。
2025年底,国内DRAM(动态随机存取存储器)巨头长鑫科技披露招股说明书,正式启动A股IPO进程。兆易创新不仅是长鑫科技的股东,更是其兄弟公司——两家企业拥有共同的创始人。
截至1月7日收盘,兆易创新市值突破1700亿元,而长鑫科技在IPO前最后一轮融资中的估值已超过1500亿元,市场普遍预期其IPO后市值有望冲击万亿大关。
究竟是什么样的创始人,能够连续缔造两家千亿级行业巨头?在他的创业历程中,又隐藏着哪些传奇故事?
2004年初夏,在美国一家存储行业上市公司担任项目主管的朱一明决定辞职创业。彼时无人预料到,这一抉择将深刻改变中国半导体产业的格局。
朱一明辞职的直接诱因是与上司在产品理念和公司发展方向上产生分歧,但更深层的原因,是他那颗“不安分”、勇于挑战的心在面对硅谷职场天花板时的必然爆发。
朱一明出生于1972年,堪称少年天才,17岁便考入清华大学物理系。虽主修物理,但他对编程有着极高的天赋,90年代末靠为其他公司编写程序,年收入就能超过30万元。在打工过程中,他敏锐地意识到芯片设计大多由美国公司主导,技术含量更高,于是赴美深造电子工程专业,毕业后顺利进入硅谷公司工作。
当时的朱一明观察到,存储产业曾从美国转移至日本,再转移至韩国和中国台湾,未来中国大陆存储行业必将迎来巨大机遇,甚至可能诞生“中国版三星”。基于这一判断,他设计了一款SRAM(静态随机存储器)存储芯片,创办了公司,并开始四处寻找投资人。
2005年,在投资人的支持下,朱一明带领核心团队回到国内创业,成立了兆易创新的前身——芯技佳易。
创业初期,芯技佳易步履维艰,像华为、中兴这样的大客户很难信任一家设计能力尚未得到验证的半导体初创企业。直到半年后,转机出现:一家名为Rockchip的国内公司看中了芯技佳易SRAM IP的低功耗和低成本优势,以10万元人民币的价格获得了IP授权。这笔订单虽然金额不大,却具有里程碑意义。集成了芯技佳易SRAM IP的MP3芯片表现优异,销量飙升,芯技佳易由此在行业内崭露头角。
值得一提的是,这家名为Rockchip的小公司,正是后来成长为国内知名SoC设计厂商的瑞芯微。
凭借SRAM打开局面后,朱一明却果断决定带领公司转向另一种存储芯片——NOR Flash(NOR闪存)。
存储芯片按断电后数据是否保留,可分为易失性存储芯片和非易失性存储芯片两大类。其中,易失性存储芯片包括SRAM和DRAM,非易失性存储芯片则包括ROM、闪存和EEPROM,而闪存又可细分为NAND Flash和NOR Flash。
朱一明之所以从SRAM转向NOR Flash,与当时存储巨头的业务调整密切相关。DRAM和NAND市场规模最大,是巨头们争夺的核心领域;SRAM市场虽小,却也是传统巨头的固有地盘。而NOR Flash等利基型存储市场,才是中小玩家可以分食的“汤”。芯技佳易选择NOR Flash,正是为了避免与巨头正面交锋。
2008年,朱一明团队成功研发出中国首颗自主设计的180nm SPI NOR Flash芯片,打破了国外垄断。然而,产品刚问世便遭遇全球金融危机,投资机构纷纷收紧银根,刚刚看到曙光的芯技佳易再次陷入困境。
此时,两家美国公司向朱一明抛来橄榄枝。美国上市公司ISSI的CEO专程飞往北京,开出1000万美元的收购价;另一家飞索半导体报价更高,但都被朱一明断然拒绝。
幸运的是,芯技佳易的产品很快迎来转机。凭借卓越的性能,它击败了两个美国设计团队,赢得了一家日本公司的订单,从而顺利渡过难关。
同样在2008年,三星战略性放弃NOR Flash业务,而此前曾试图收购芯技佳易的飞索半导体则因金融危机濒临破产。芯技佳易抓住这一机遇,迅速填补了三星和飞索留下的市场空白,一跃成为全球NOR Flash领域的知名企业。2010年,芯技佳易正式更名为兆易创新。
不过,作为典型的利基型存储市场,NOR Flash空间有限,兆易创新要想实现长远发展,必须开拓新赛道。这一次,朱一明选择了MCU(微控制器)。
选择MCU,一方面是因为MCU通常与闪存紧密结合,两者具有协同效应;另一方面,2004年Arm公司推出Cortex-M内核后,基于Arm架构的MCU迅速崛起,行业技术加速迭代,为新进入者提供了突围良机。
2013年4月,兆易创新推出首颗国产基于Arm Cortex-M3的MCU。这款产品避开了竞争激烈的低端市场,直接切入当时主流且利润更高的中端MCU领域。事实证明,这一选择极为正确,MCU很快成为兆易创新的第二条增长曲线。
三年后的2016年8月,兆易创新成功登陆A股,凭借半导体国产替代的硬实力,上市后连续收获18个涨停板。如今,兆易创新已成长为市值超1700亿元的国产半导体龙头。
令人意想不到的是,就在兆易创新上市的高光时刻,已然功成名就的朱一明悄然布局,开启了另一段传奇。
2025年底,长鑫科技递交IPO申请,拟在科创板上市。这家公司总资产已超3000亿元,IPO前最后一轮融资估值高达1500亿元。
很少有人想到,千亿长鑫科技背后的掌舵者,竟是千亿巨头兆易创新的创始人朱一明。
在兆易创新上市的光环下,一个代号为“506”的项目正在安徽合肥悄然推进。该项目实为合肥长鑫12吋存储器晶圆制造基地。传闻“506”得名于2016年5月6日,朱一明与合肥市及经开区主要领导共同研讨存储器项目发展战略的日子。
这一布局意味着,在成功创办兆易创新后,朱一明并不满足于利基型存储和MCU市场,他的目标是进军DRAM领域,从三星等巨头口中夺食。
如前所述,DRAM和NAND是全球最大的两个存储器细分市场,合计占据存储市场90%以上份额。电脑中的固态硬盘核心是NAND,内存条则是DRAM;智能手机中,DRAM即运行内存,NAND则是常说的256G或512G存储空间。
实际上,朱一明最初曾想通过兆易创新布局DRAM。上市后仅一个月,兆易创新便发布公告拟收购北京矽成,后者是全球第二大SRAM芯片企业、全球第八大DRAM企业。值得注意的是,北京矽成的核心资产正是当年曾欲以1000万美元收购兆易创新的ISSI。然而,此次收购未能成功,北京矽成最终被北京君正收入囊中。
收购失败后,长鑫项目加速推进。2017年3月,长鑫存储工厂一期开工建设;同年10月,兆易创新宣布斥资180亿元与合肥合作开展DRAM业务。彼时,朱一明仍担任兆易创新董事长和总经理,中芯国际前CEO王宁国实际操刀长鑫项目。
2018年,朱一明做出关键抉择:辞任兆易创新总经理,出任长鑫科技董事长兼CEO,全身心投入DRAM事业。在他的带领下,长鑫科技从加拿大知识产权公司WiLAN手中收购了大量奇梦达(原英飞凌DRAM业务)的DRAM专利,极大强化了自身技术储备和专利保障。
2019年9月,长鑫科技迎来历史性突破。在2019世界制造业大会上,朱一明宣布:长鑫科技研发的第一代8Gb核心DDR4内存芯片已成功投产,并通过多家国内外大客户验证,将于年底正式交付。这款芯片采用19nm工艺,虽与国际巨头已布局的12-14nm产品仍有差距,但标志着中国DRAM产业实现零的突破。
值得一提的是,朱一明曾立下军令状:在长鑫科技盈利前,他不领取一分钱工资和奖金。长鑫科技招股书显示,董事长朱一明确未在公司领薪,但间接持有公司股份,持股比例为IPO前总股本的2.6765%,对应16.11亿股。
如今,长鑫科技已成为全球DRAM领域不可忽视的中国力量。招股书显示,长鑫科技已成长为中国第一、全球第四的DRAM厂商。不过,行业前三三星电子、SK海力士和美光科技仍占据全球90%以上市场份额。
从财务数据看,近年来长鑫科技业务高速增长。2022-2024年,营收分别为82.87亿元、90.87亿元和241.78亿元,但归母净利润分别为-83.28亿元、-163.40亿元和-71.45亿元,仍处于亏损状态。
2025上半年,长鑫科技营收达154.38亿元,归母净利润为-23.32亿元,亏损幅度显著收窄。同时,长鑫科技预计2025年全年营收将达550-580亿元,归母净利润为-16至-6亿元,扣非净利润为28-30亿元,首次实现扣非净利润转正。
成立十年来,长鑫科技已取得令人瞩目的成绩。但不容忽视的是,与行业前三相比,长鑫科技仍有漫长而残酷的路要走。
DRAM和NAND行业普遍采用IDM模式,需自建晶圆厂,资产极重,且具有强周期性。一旦行业进入下行周期,价格战将导致巨额亏损,三星等巨头甚至会反周期扩产,进一步压低价格,导致弱势企业破产,曾经的奇梦达便是前车之鉴。
2024年以来,受益于AI市场爆发带来的存储需求激增,长鑫科技业绩显著改善。但在三大巨头掌握定价权的存储行业,长鑫科技仍面临巨大竞争压力,未来不排除再次出现亏损的可能。
此次IPO,长鑫科技计划使用295亿元募集资金,用于存储器晶圆制造量产线升级改造、DRAM存储器技术升级和DRAM前瞻技术研究开发等项目。这意味着长鑫科技将进一步扩大产能、加速研发,奋力追赶行业前三。
对于长鑫科技而言,当前正是上市良机。AI驱动存储企业估值显著提升,截至1月6日收盘,DRAM行业第二、第三名SK海力士和美光科技市值分别达3634.85亿美元和3865.34亿美元,均超2.5万亿元人民币。
在2025年6月IPO前最后一轮融资中,长鑫科技投后估值已达1583.20亿元。基于当前市场行情,有投资者预期长鑫科技上市后市值有望突破万亿元。在朱一明带领下,已成为中国第一、全球第四的长鑫科技,能否进一步缩小与行业前三的差距,无疑值得期待。
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