随着技术的飞速进步,嵌入式行业正迎来前所未有的变革。今年下半年,各大厂商依然在不断加速迭代,为我们带来了诸多惊喜。
那么,接下来,就跟随EEWorld的脚步,一起盘点今年嵌入式行业的技术风向。
华为海思近期发布了Hi3066M与Hi3065P两款RISC-V芯片。其中,Hi3066M是一款针对家电端侧智能化需求的嵌入式AI MCU,内置eAI引擎,支持200MHz主频、64KB SRAM和512KB内置Flash;而Hi3065P则是一款高性能、大存储的实时控制MCU,同样采用海思自有RISC-V内核,支持200MHz主频,64KB SRAM和最大512KB内置Flash。
由此可见,RISC-V已经成为海思下一个战略支点。此外,沁恒和先楫也在RISC-V领域持续发力,分别推出了双核RISC-V MCU CH32H417和HPM6P00等高性能产品。
随着汽车智能化的推进,汽车MCU的存储需求也在不断增长。然而,传统的eFlash存储技术面临着可重写次数有限、老化严重等问题。为此,汽车MCU开始应用下一代eNVM技术,包括相变存储器(PCM)、阻变存储器(RRAM)和磁阻存储器(MRAM)。
PCM:ST推出的Stellar系列汽车MCU内置了基于PCM的xMemory,其存储密度可达竞品两倍以上。
MRAM:NXP推出的全球首款16nm FinFET+MRAM MCU S32K5,具有快速写入和编程速度、高耐久性等特点。
RRAM:Infineon发布的AURIX TC4x系列MCU采用RRAM技术,具有简单的驱动程序和字节粒度写入等优势。
随着AI大模型的发展,现在几乎每家厂商都会推出带有NPU的MCU产品。STM32、Infineon、NXP等都在硬件和软件上持续发力,推出了一系列高性能的AI MCU产品。
例如,STM32N6采用自研Neural-ART加速器,算力达到600 GOPS;Infineon的PSOC Edge E8x系列则采用了Arm Ethos -U55 NPU处理器;NXP的eIQ Neutron NPU已经覆盖MCU、跨界MCU、应用处理器三大系列。
冯·诺依曼计算架构正面临“存储墙”和“功耗墙”两大瓶颈。新型存算一体芯片被视为后摩尔时代突破这一瓶颈的重要技术方向之一。
苹芯科技发布的基于存算一体的NPU IP核PIMCHIP-N300,采用SRAM存内计算技术,在28nm工艺下将计算核心能效比提升至27.3 TOPS/W。这一技术有望为智能穿戴、AIoT设备提供“Always Online”的AI能力。
本文由主机测评网于2026-04-20发表在主机测评网_免费VPS_免费云服务器_免费独立服务器,如有疑问,请联系我们。
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