High NA EUV：未来半导体制造的焦点与挑战

毫无疑问，在ASML的视野中，High NA EUV是未来的核心议题。在二季度财报说明会上，这家荷兰设备巨头确认了高数值孔径EUV的收入。尽管这一收入降低了毛利率，但总体上仍实现了53.7%的强劲表现。

据ASML在第一季财报电话会议上透露，英特尔已报告使用高数值孔径设备在一个季度内曝光了超过3万片晶圆。这显著改进了工艺流程，使特定层上的工艺步骤数量从40个减少到10个以下。另一家用户三星指出，其某一层的周期时间缩短了60%。这些结果表明，High NA EUV技术比ASML早期的低数值孔径EUV设备成熟得更快。

这些晶圆代工厂无疑是High NA EUV光刻机的首批抢购大户。三星的全力以赴就是一个例证。据报道，三星正斥巨资从ASML引进更多高数值孔径EUV光刻机，用于其本地生产。尽管设备价格不菲，但它能带来必要的优势，尤其是在2纳米GAA制程中。

三星的急切与ASML的局限

对于三星来说，过去几年的挑战不仅体现在存储业务上，其寄予厚望的晶圆代工业务也面临困境。但随着良率的提升以及和特斯拉的新协议，这家韩国芯片巨头似乎又重燃信心。然而，即使拥有近乎无限的资金，三星也无法随意订购光刻机，因为ASML对其销售数量有所限制。此外，政府出口管制也限制了这些设备的获取。

值得一提的是，SK海力士和ASML的合作标志着行业的新里程碑。双方已在韩国利川的M16晶圆厂组装了业界首台Twinscan NXE:5200B高数值孔径EUV光刻系统。该设备将作为下一代工艺技术的开发平台，并在几年后用于采用尖端工艺技术的DRAM量产。

台积电和美光的观望

在High NA EUV的竞争中，英特尔是关键一环。作为首家引入该光刻机的客户，其采购量将决定晶圆制造的未来。而台积电和美光的决定同样重要。

台积电在今年五月的欧洲技术研讨会上重申了其立场。其下一代工艺技术，包括A16和A14，无需这些最高端的光刻系统。台积电副联席首席运营官表示，只要High NA EUV能带来有意义的效益，他们就会采用。然而，至少在2027年至2028年间，台积电将使用现有EUV光刻机来减少EUV曝光次数和工艺步骤。

至于美光，在EUV光刻机上的决策更为谨慎。他们直到2025年才首次将EUV引入DRAM生产，至于何时将High NA EUV引入，仍是一个未知数。

未来展望

尽管High NA EUV备受期待，但其高昂的成本仍是厂商犹豫的主要原因。有英特尔董事在投资研究平台上表示，未来高端芯片制造将减少对先进光刻工具的依赖，而更多地依赖蚀刻技术。报告指出，尽管光刻机经常成为焦点，但芯片制造还依赖于其他关键工艺，如沉积和蚀刻。

无论如何，High NA EUV当前在先进芯片生产中扮演着不可或缺的角色。未来会如何发展，我们拭目以待。