日本存储产业的逆袭：从HBM到ZAM

过去三十年的全球存储产业，经历了翻天覆地的变化，完成了从日本到韩国的权力更迭。

20世纪80–90年代，日本企业几乎垄断了DRAM市场；然而进入21世纪后，韩国厂商逐渐崛起，占据了这一领域的统治地位，并在技术、规模与资本上形成了长期优势。如今，HBM作为AI算力体系中的核心器件，为韩国厂商带来了巨大的利润，而日本却几乎完全缺席这一领域。

然而，就在人们以为日本存储产业已经“躺平”之际，一家极具野心的本土企业——SAIMEMORY正浮出水面。

被韩国改写的存储史

日本曾是DRAM的代名词。

上世纪80年代，日本的几家存储企业合计占据全球DRAM市场过半份额。当时的日本，正处在制造业全球扩张的巅峰期，而半导体则是其工业体系中技术密度最高、附加值最高的一环。

日本通过一系列国家级半导体联合研发计划，如超大规模集成电路（VLSI）国家项目等，催生了一批在工艺、材料、设备、制造管理上极为成熟的公司，如NEC、东芝、日立、富士通等。

在1980年代中后期，日本厂商一度占据全球DRAM市场50%以上份额。

然而，转折点出现在1990年代。这一时期，日本经济泡沫破裂，企业进入长期资产负债表修复期，同时DRAM行业发生了结构性变化。日本企业普遍追求稳健回报，难以接受长期亏损换规模，而韩国则以激进资本投入换规模，逐步淘汰了日本厂商。

进入AI时代后，HBM成为关键器件。韩国厂商凭借在DRAM堆叠、封装、良率控制方面的积累，迅速占据HBM主导地位，高端GPU几乎离不开其供货。

日本存储的反击

在这样的背景下，SAIMEMORY于2026年2月初浮出水面。SAIMEMORY成立于2024年12月，2025年6月开始运营，是软银旗下子公司。2026年2月3日，软银公司宣布其全资子公司SAIMEMORY与英特尔签署合作协议，以推进Z-Angle Memory (ZAM)的商业化。

ZAM的命名来自Z轴，意味着芯片沿垂直方向进行轴向堆叠。其理论优势包括更短的数据通路、更均匀的热扩散路径等。英特尔在该项目中提供了下一代DRAM键合（NGDB）等关键技术。

SAIMEMORY计划在2027财年（截至2028年3月31日）开发出原型产品，并争取在2029财年实现商业化。

软银正在押注一条可能跳过HBM世代的新型内存路线。软银已表态在2027财年原型机完成前投入约30亿日元。只要ZAM能在功耗/带宽/成本某一维度显著优于HBM，哪怕只占据小众市场，也有商业生存空间。

日本不止押注内存

经历过DRAM被韩国全面超越后，日本产业界形成了高度一致的共识：确保在若干决定未来走向的关键技术节点上拥有席位。

第一，Rapidus的出现象征着日本在先进制程上的努力。Rapidus与IBM、ASML合作，用国家力量换一张“先进制程入场券”。

第二，在代工领域，日本通过巨额补贴成功引入台积电（TSMC）在熊本建设JASM一厂及二厂。

第三，在先进封装方面，日本正在筹划Chiplet时代的入场券。Intel与日本14家主要供应商组建了名为"SATAS"的研究小组。

第四，在AI加速器方向，日本企业的态度同样非常克制。目前日本已经形成了一个由老牌巨头转型、顶尖实验室孵化、以及垂直领域初创公司构成的AI芯片矩阵。

结语

回过头看，日本正在做的与其说是对韩国的“复仇”，不如说是对自身产业命运的一次再下注。

日本已经重新坐回了牌桌，这场赌局的结局或许还要很多年才能见分晓。