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MOF材料突破性应用:液体芯片挑战半导体瓶颈

【导读】 2025年诺贝尔化学奖授予了金属有机框架(MOF)材料的开创者们,而一个海外几乎全华人的科研团队发现该成果可用于制造「流体芯片」,突破目前半导体芯片的瓶颈!这一成果近期发表在Science子刊上。

MOF材料被誉为「分子筛」,因其内部充满纳米级别的孔洞,能够筛选、储存特定的分子。同时,MOF又好比化学版的「纳米乐高积木」,通过不同的金属节点和有机分子拼接出各种孔道结构。

MOF材料突破性应用:液体芯片挑战半导体瓶颈 MOF 液体芯片 纳米孔道 离子晶体管 第1张
图中展示了MOF材料的纳米孔洞结构。

尽管MOF在气体储存、催化等领域发表了海量论文,但由于稳定性差、成本高等原因,实际应用一度寥寥。诺奖组委会也指出MOF「潜力巨大」,但尚未找到真正适用的场景。

现在,MOF应用场景似乎出现了:科学家们用MOF材料造出了一枚纳米级的液体芯片,不仅能执行逻辑运算,还能「记住」之前的信号状态,产生类似大脑神经元的记忆效应!

MOF变芯片,在纳米孔里「种」出电路

通常所说的芯片是硅基电子芯片,而这里的「流体芯片」以液体中的离子流动来模拟电子电路。

研究团队设计了一种特殊的纳米流体晶体管,核心材料正是新晋诺奖「网红」——MOF。

MOF材料突破性应用:液体芯片挑战半导体瓶颈 MOF 液体芯片 纳米孔道 离子晶体管 第2张
图中展示了MOF纳流体晶体管的结构示意图。

科研人员先在聚合物膜上制造出纳米级的小孔道,然后巧妙地在孔道内原位生长出MOF晶体。这构成了一个复杂的分级「离子迷宫」,供带电的离子通行。

离子晶体管,像三极管一样控制质子流

研究人员将制备好的MOF纳流体晶体管浸入含不同离子的溶液中,测量其电流-电压特性。实验结果显示,当使用盐酸(HCl)溶液时,芯片的电流随电压变化呈现出强烈的非线性,类似于电子学中三极管或场效应管的特性曲线。

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图中展示了不同电压下的电流变化。

这种「三极管式」的质子传输使得MOF纳米孔道实现了对质子流的开关调控,相当于一个离子版的电子晶体管。

会「记忆」的离子通路,仿神经元学习效应

令人称奇的是,这个MOF离子晶体管不仅能控制离子流通断,还展现出了一种「记忆」能力。当科研人员对芯片施加循环变化的电压时,发现电流响应不仅取决于瞬时电压,还与此前经历的电压有关。

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图中展示了电流-电压回路呈现出的滞后环。

这种保留先前电压影响的记忆效应可持续数秒钟之久,类似于大脑中短期记忆的特性。研究团队还将多个MOF离子晶体管并联组成小型流体电路,模拟更复杂的信号处理。

分子尺度,潜力巨大

利用MOF材料在分子尺度实现了电路的逻辑功能和存储功能。这一成果发表在Science Advances杂志上,不仅回应了之前对MOF「无用」的质疑,也开创了「液态电子学」的新可能性。

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图中展示了MOF材料在分子尺度上的应用。

未来的计算机芯片可能不再局限于硅半导体,还可能有「液态」大脑般的组件。基于液体的分子逻辑电路将为信息技术注入全新的活力。