DRAM价格首次回调，行业波动预示新趋势

上周，DRAM现货价格出现了自2025年9月以来的首次回调，引起了业界的广泛关注。

此前，受存储涨价潮影响，下游厂商承受了巨大的成本压力。如今，这一回调或许能给他们带来一丝喘息的机会。

据美银最新报告，连续数月上涨后，上周DRAM现货价格出现回落，这是自2025年9月以来首次回调。

随着DRAM现货价格持续攀升，多家OEM反映，低阶PC、智能手机与平板电脑中的DRAM成本占比已高于合理水平。通常，DRAM成本在终端产品售价中的比例应低于一成，但按当前现货价格计算，部分产品已难以承受相关成本。

值得注意的是，现货价与合约价存在差异，一线OEM与普通OEM的成本也各不相同。

美银指出，DRAM现货与合约价格间存在明显差距。一线OEM获得的DRAM合约价格仍维持在每GB 10~20美元区间，远低于现货市场价格，未来现货价格可能向合约价格靠拢。

部分模组厂表示，若DDR4或DDR5价格降至20~30美元区间，无论容量或规格如何，市场都将具备显著的采购动力。

美银指出，目前尚不能将此回调定义为“产业反转”或“硬着陆”的早期信号，但短期价格波动已开始影响终端成本。

尽管此次回调是短暂的，但从机构预期来看，涨价依然是存储产业的主旋律。

TrendForce今日发布的存储产业调查显示，2026年第一季度AI与数据中心需求将进一步加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力增强，上调了第一季度DRAM、NAND Flash产品价格环比增幅的预测。预计整体Conventional DRAM合约价将从一月初公布的55%~60%环比增幅上调至90%~95%，NAND Flash合约价从33%~38%上调至55%~60%，且仍有进一步上调的可能性。

此外，美银已上调存储产业中期展望，将2026年DRAM与NAND平均销售价格（ASP）预期上调20%以上，并小幅提高储存位元出货量成长假设。这主要反映了HBM扩产以及晶圆厂在土木工程与电力等基础建设方面的投资增加。

美银表示，在AI驱动需求与HBM扩产的支撑下，存储产业中期基本面仍偏正向。后续发展的关键将取决于价格修正幅度与终端需求消化速度。尽管看好存储产业的长期成长周期，但预计2026年第二季度至下半年ASP将趋于稳定，而2027年可能出现低于10%的价格回调。